Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P403ATMA1, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P403ATMA1, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin6+Tab TO-263
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -180A; 150W; PG-TO263-7
Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7 / P-Channel 40 V 180A Tc 150W Tc Surface Mount PG-TO263-7-3
极性 P-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 17640pF @25VVds
下降时间 81 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors, Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump
RoHS标准
含铅标准 无铅