INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 202A, TO-220AB 新
**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
e络盟:
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 202A, TO-220AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 202A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
190A,40V,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
Vds = 40V, Rds = 0.004 ohms, Id = 202A, N채널, TO-220
额定电压DC 40.0 V
额定电流 162 A
针脚数 3
漏源极电阻 4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 333 W
产品系列 IRF1404
阈值电压 4 V
输入电容 5669pF @25V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 202 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 5669pF @25VVds
额定功率Max 333 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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