Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA032N06N3GXKSA1, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA032N06N3GXKSA1, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 84 A, 0.0026 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 84 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 41 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 41 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 84A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 10000pF @30VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 41W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, Or-ing switches, Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17