IRF5210LPBF

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IRF5210LPBF概述

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDSON 0.06Ω; ID -40A; TO-262; PD 200W; VGS +/-20V

**P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDSON 0.06Ohm; ID -40A; TO-262; PD 200W; VGS +/-20V


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 38A TO-262


IRF5210LPBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 60 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 200 W

产品系列 IRF5210L

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 -100 V

连续漏极电流Ids -40.0 A

输入电容Ciss 2780pF @25VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 9.65 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号: IRF5210LPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDSON 0.06Ω; ID -40A; TO-262; PD 200W; VGS +/-20V

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