IRLU3705ZPBF

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IRLU3705ZPBF概述

N沟道 55V 42A

**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK


立创商城:
N沟道 55V 42A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, N Ch., Automotive, 55V, 89A, 8 MOHM, 44 NC QG, I-PAK, Pb-Free


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK


IRLU3705ZPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 42.0 A

漏源极电阻 8 mΩ

耗散功率 130 W

产品系列 IRLU3705Z

输入电容 2900pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 42.0 A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 2900pF @25VVds

额定功率Max 130 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRLU3705ZPBF
型号: IRLU3705ZPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:N沟道 55V 42A

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