晶体管, MOSFET, N沟道, 11.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
表面贴装型 N 通道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） D²PAK（TO-263AB）
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin2+Tab TO-263
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A Automotive 3-Pin2+Tab TO-263 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO263-3
额定功率 104.2 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 104.2 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 11.4A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 104200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free