Trans MOSFET N-CH 55V 61A 3Pin2+Tab D2PAK Tube
**N-Channel Power MOSFET 60A to 79A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Allied Electronics:
IRFZ48ZSPBF N-channel MOSFET Transistor, 61 A, 55 V, 3-Pin D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 61A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 61.0 A
漏源极电阻 11 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 91 W
产品系列 IRFZ48ZS
输入电容 1720pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
连续漏极电流Ids 61.0 A
上升时间 69.0 ns
输入电容Ciss 1720pF @25VVds
额定功率Max 91 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.576 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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