INFINEON IPB60R385CPATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R385CPATMA1, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON IPB60R385CPATMA1 Power MOSFET, N Channel, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 83 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 790pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17