Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3 CoolMOS CFD2
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
额定功率 104.2 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 104.2 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 11.4A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104.2 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free