IPB180N04S4L01ATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPB180N04S4L01ATMA1概述

N-CH 40V 180A

表面贴装型 N 通道 40 V 180A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-7-3

得捷:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin TO-263 T/R

IPB180N04S4L01ATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 188W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 19100pF @25VVds

下降时间 80 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 188W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IPB180N04S4L01ATMA1

型号： IPB180N04S4L01ATMA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：N-CH 40V 180A