Infineon IGB30N60H3ATMA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 30 A, 3+Tab引脚 D2PAK TO-263封装
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
得捷:
IGBT 600V 60A 187W TO263-3
欧时:
Infineon IGB30N60H3ATMA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 30 A, 3+Tab引脚 D2PAK TO-263封装
e络盟:
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 D2PAK, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab TO-263
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab TO-263
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
IGBT 600V 60A 187W TO263-3
针脚数 3
耗散功率 187 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 187 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 187 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 All hard switching applications
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99