MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.025Ω; ID 59A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-30V
N-Channel 100V 59A Tc 3.8W Ta, 200W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 100V 59A TO263-3-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.025Ohm; ID 59A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-30V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRFS59N10D
输入电容 2450pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
输入电容Ciss 2450pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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