INFINEON IPB320N20N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB320N20N3GATMA1, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin TO-263 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON IPB320N20N3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 136 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
输入电容 1770 pF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 34A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1770pF @100VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, 工业, 照明, Audio, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters, 发光二极管照明, Industrial, LED Lighting, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB320N20N3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SUM65N20-30-E3 威世 | 功能相似 | IPB320N20N3GATMA1和SUM65N20-30-E3的区别 |