IRF6621TRPBF概述
N沟道 30V 12A 55A
N-Channel 30V 12A Ta, 55A Tc 2.2W Ta, 42W Tc Surface Mount DIRECTFET™ SQ
得捷:
30V SINGLE N-CHANNEL HEXFET
立创商城:
N沟道 30V 55A 12A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
IRF6621TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 12.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 42.0 W
产品系列 IRF6621
输入电容 1.46 nF
栅电荷 17.5 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A, 9.60 A
上升时间 14.0 ns
输入电容Ciss 1460pF @15VVds
额定功率Max 2.2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET™ Isometric SQ
外形尺寸
封装 DirectFET™ Isometric SQ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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