IRFS450B

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IRFS450B中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 310 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 96 W

漏源极电压Vds 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.60 A

上升时间 130 ns

输入电容Ciss 3800pF @25VVds

额定功率Max 96 W

下降时间 125 ns

耗散功率Max 96W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFS450B
型号: IRFS450B
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
替代型号IRFS450B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFS450B

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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