IPL65R310E6AUMA1概述
N-CH 650V 13.1A
表面贴装型 N 通道 650 V 13.1A（Tc） 104W（Tc） PG-VSON-4
得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.1A T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK / N-Channel 650 V 13.1A Tc 104W Tc Surface Mount PG-VSON-4
IPL65R310E6AUMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 104 W
极性 N-CH
耗散功率 104W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 13.1A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 950pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 104W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 Thin-Pak
外形尺寸
封装 Thin-Pak
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
在线购买IPL65R310E6AUMA1