IRGSL4B60KD1PBF

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IRGSL4B60KD1PBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin3+Tab TO-262

**Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon**

Isolated Gate Bipolar Transistors IGBT from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.


得捷:
IRGSL4B60 - DISCRETE IGBT WITH A


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


Allied Electronics:
600V LOW-VCEON NON PUNCH THROUGH COPACKIGBT IN A TO-262 PACKAGE


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


IRGSL4B60KD1PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 11.0 A

耗散功率 63 W

产品系列 IRGSL4B60KD1

上升时间 18.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 63 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 9.65 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRGSL4B60KD1PBF
型号: IRGSL4B60KD1PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin3+Tab TO-262

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