Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3Pin2+Tab D2PAK
**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin2+Tab D2PAK
Allied Electronics:
MOSFET, N Ch., 30V, 87A, 6.3 MOHM, 17 NC QG, D2-PAK, Pb-Free
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin2+Tab D2PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 87.0 A
漏源极电阻 6.3 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 79 W
产品系列 IRF3709ZS
阈值电压 2.25 V
输入电容 2130pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 87.0 A
上升时间 41.0 ns
输入电容Ciss 2130pF @15VVds
额定功率Max 79 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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