IRF1010EPBF

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IRF1010EPBF概述

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新

**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


IRF1010EPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 84.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 12 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

产品系列 IRF1010E

阈值电压 4 V

输入电容 3210pF @25V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 84.0 A

上升时间 78.0 ns

输入电容Ciss 3210pF @25VVds

额定功率Max 200 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

在线购买IRF1010EPBF
型号: IRF1010EPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新
替代型号IRF1010EPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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International Rectifier 国际整流器

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