Trans MOSFET N-CH 40V 190A 3Pin2+Tab D2PAK Tube
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area.
Features
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 190A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
漏源极电阻 3.7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 220 W
产品系列 IRF1404ZS
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 190 A
输入电容Ciss 4340pF @25VVds
额定功率Max 200 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF1404ZSPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STB120N4F6 意法半导体 | 功能相似 | IRF1404ZSPBF和STB120N4F6的区别 |
STB200NF04T4 意法半导体 | 功能相似 | IRF1404ZSPBF和STB200NF04T4的区别 |