IRF3315STRLPBF概述
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Allied Electronics:
IRF3315STRLPBF N-channel MOSFET Transistor, 21 A, 150 V, 3-Pin D2PAK
IRF3315STRLPBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.082 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 94 W
输入电容 1300pF @25V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Roll
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRF3315STRLPBF
型号： IRF3315STRLPBF
制造商：
International Rectifier
国际整流器
描述：Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3Pin2+Tab D2PAK T/R