IXTA80N10T7参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTA80N10T7概述

D2PAK N-CH 100V 80A

N-Channel 100V 80A Tc 230W Tc Surface Mount TO-263-7 IXTA..7

得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 7-Pin6+Tab D2PAK

IXTA80N10T7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 230W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80A

输入电容Ciss 3040pF @25VVds

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA80N10T7

型号： IXTA80N10T7

制造商： IXYS Semiconductor

描述：D2PAK N-CH 100V 80A

替代型号IXTA80N10T7