Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB030N08N3GATMA1, 160 A, Vds=80 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB030N08N3GATMA1, 160 A, Vds=80 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the IPB030N08N3GATMA1 power MOSFET, developed by Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 214000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes optimos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin TO-263 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 160A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
额定功率 214 W
通道数 1
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 214 W
阈值电压 2.8 V
输入电容 6100 pF
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 160A
上升时间 79 ns
输入电容Ciss 6100pF @40VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPB030N08N3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFS3107-7PPBF 英飞凌 | 类似代替 | IPB030N08N3GATMA1和IRFS3107-7PPBF的区别 |