INFINEON IPA60R190P6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
立创商城:
IPA60R190P6XKSA1
欧时:
Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190P6XKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin TO-220 FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Newark:
# INFINEON IPA60R190P6XKSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP / N-Channel 600 V 20.2A Tc 34W Tc Through Hole PG-TO220-FP
额定功率 34 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.171 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 34 W
阈值电压 4 V
输入电容 1750 pF
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 9.5A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1750pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
长度 10.65 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, PWM stages TTF, LLC for, Communications & Networking, 工业, Industrial, 通信与网络, PFC stages for, , telecom rectifier,, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17