P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管，Infineon IR MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
**P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
DeviceMart:
Vds = -100V, Rds = 0.06 ohms, Id = -40A, P채널, TO-220
额定电压DC -100 V
额定电流 -40.0 A
漏源极电阻 0.06 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRF5210
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 -100 V
连续漏极电流Ids -40.0 A, 40.0 A
上升时间 86.0 ns
输入电容Ciss 2700pF @25VVds
额定功率Max 200 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
高度 15.24 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99