Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190C6XKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190C6XKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 / N-Channel 600 V 20.2A Tc 151W Tc Through Hole PG-TO220-3
额定功率 151 W
极性 N-Channel
耗散功率 151 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.2A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1400pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 151 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 15.95 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC