IRF6626中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 16.0 A
漏源极电阻 4.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 42.0 W
产品系列 IRF6626
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 2380pF @15VVds
额定功率Max 2.2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DirectFET™ Isometric ST
外形尺寸
封装 DirectFET™ Isometric ST
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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