Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 25000mW 3Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube
**Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon**
Isolated Gate Bipolar Transistors IGBT from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube
额定电压DC 600 V
额定电流 6.80 A
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
产品系列 IRG4IBC10UD
上升时间 16 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 28 ns
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.75 mm
高度 16.13 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRG4IBC10UDPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STGF6NC60HD 意法半导体 | 功能相似 | IRG4IBC10UDPBF和STGF6NC60HD的区别 |