IRF6775MTR1PBF

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IRF6775MTR1PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 89 W

漏源极电阻 47 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 89 W

产品系列 IRF6775M

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 28.0 A, 31.0 A, 4.90 A

输入电容Ciss 1411pF @25VVds

额定功率Max 2.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 DirectFET-7

外形尺寸

封装 DirectFET-7

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

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型号: IRF6775MTR1PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 7Pin Direct-FET MZ T/R

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