IRF7665S2TRPBF概述
N沟道 100V 14.4A 4.1A
N-Channel 100V 4.1A Ta, 14.4A Tc 2.4W Ta, 30W Tc Surface Mount DirectFET™ Isometric SB
得捷:
MOSFET NCH 100V 4.1/14.4A DIRECT
立创商城:
N沟道 100V 14.4A 4.1A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 14.4A 6-Pin Direct-FET SB T/R
IRF7665S2TRPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 51 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
产品系列 IRF7665S2
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 14.4 mA, 14.4 A
输入电容Ciss 515pF @25VVds
额定功率Max 2.4 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 DirectFET-2
外形尺寸
封装 DirectFET-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
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