MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 12Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 260W; VGS +/-20
**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 15 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 260 W
产品系列 IRF8010S
阈值电压 4 V
输入电容 3830pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 3830pF @25VVds
额定功率Max 260 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF8010SPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
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