MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDSON 0.082Ω; ID 31A; TO-220AB; PD 200W; VGS +/-30V
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
得捷:
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
DeviceMart:
Power MOSFET, N채널 VDSS = 200V , RDSonmax = 0.082Ω , ID = 31A
额定电压DC 200 V
额定电流 31.0 A
漏源极电阻 0.082 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
产品系列 IRFB31N20D
输入电容 2370pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 31.0 A
上升时间 38.0 ns
热阻 0.75℃/W RθJC
输入电容Ciss 2370pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFB31N20DPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFZ14PBF 威世 | 功能相似 | IRFB31N20DPBF和IRFZ14PBF的区别 |
STP30NF20 意法半导体 | 功能相似 | IRFB31N20DPBF和STP30NF20的区别 |