IPD65R660CFDXT

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IPD65R660CFDXT中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 62.5 W

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 615pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD65R660CFDXT
型号: IPD65R660CFDXT
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3Pin2+Tab DPAK

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