Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R190C6ATMA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R190C6ATMA1, 20.2 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin2+Tab TO-263
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
额定功率 151 W
极性 N-CH
耗散功率 151 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.2A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1400pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 151000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free