N沟道 100V 100A
通孔 N 通道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
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N沟道 100V 100A
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MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
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MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
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Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
额定功率 214 W
极性 N-CH
耗散功率 214 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 59 ns
输入电容Ciss 6320pF @50VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214000 mW
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Uninterruptable power supplies UPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPI045N10N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI045N10N3G 英飞凌 | 完全替代 | IPI045N10N3GXKSA1和IPI045N10N3G的区别 |
IPI04CN10NG 英飞凌 | 功能相似 | IPI045N10N3GXKSA1和IPI04CN10NG的区别 |