N沟道,200V,56A,40mΩ@10V
SMPS MOSFET
VDSS RDSon max ID
200V 0.040Ω 56A
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, See App. Note AN1001
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
High frequency DC-DC converters
Applications
Lead-Free
e络盟:
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 56A, TO-220AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDSON 0.04Ohm; ID 56A; TO-220AB; PD 380W; VGS +/-20V
Jameco:
NEL HEXFET POWER MOSFET IN A S
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
额定电压DC 200 V
额定电流 56.0 A
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 380 W
产品系列 IRFB260N
输入电容 4220pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
上升时间 64.0 ns
热阻 0.4℃/W RθJC
输入电容Ciss 4220pF @25VVds
额定功率Max 380 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
高度 15.24 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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