IPB015N04LGATMA1

IPB015N04L 系列 40 V 1.5 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管 - PG-TO-263-3

I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

立创商城:
N沟道 40V 120A

欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB015N04LGATMA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

艾睿:
This IPB015N04LGATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 250000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device utilizes optimos 3 technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R