IRF7665S2TR1PBF

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IRF7665S2TR1PBF概述

MOSFET,Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon

### 电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

### 同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7665S2TR1PBF, 14.4 A, Vds=100 V, 4引脚 DirectFET SB封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 14.4A 6-Pin Direct-FET SB T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET


IRF7665S2TR1PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 30 W

漏源极电阻 51 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

产品系列 IRF7665S2

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 14.4 mA

输入电容Ciss 515pF @25VVds

额定功率Max 2.4 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 DirectFET™ Isometric SB

外形尺寸

长度 4.85 mm

宽度 3.95 mm

高度 0.676 mm

封装 DirectFET™ Isometric SB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

在线购买IRF7665S2TR1PBF
型号: IRF7665S2TR1PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:MOSFET,Infineon ### 电动机控制 MOSFET Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET 同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

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