IPW60R280C6FKSA1

IPW60R280C6FKSA1图片1
IPW60R280C6FKSA1图片2
IPW60R280C6FKSA1图片3
IPW60R280C6FKSA1图片4
IPW60R280C6FKSA1图片5
IPW60R280C6FKSA1图片6
IPW60R280C6FKSA1概述

INFINEON  IPW60R280C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R280C6FKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
INFINEON  IPW60R280C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this IPW60R280C6FKSA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 104000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with coolmos technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


富昌:
Single N-Channel 600 V 280 mOhm 43 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-247-3


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


IPW60R280C6FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 104 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 13.8A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 950pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 21.1 mm

高度 5.21 mm

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPW60R280C6FKSA1
型号: IPW60R280C6FKSA1
描述:INFINEON  IPW60R280C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台