IRGB4B60KD1PBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRGB4B60KD1PBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

IGBT NPT 600V 11A 63W Through Hole TO-220AB

得捷:
IRGB4B60K - IGBT WITH ULTRAFAST

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 12A; 63W; TO220AB

DeviceMart:
IGBT W/DIODE 600V 11A TO220AB

IRGB4B60KD1PBF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 11.0 A

额定功率 63 W

耗散功率 63.0 W

产品系列 IRGB4B60KD1

上升时间 18.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 63 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IRGB4B60KD1PBF

制造商： International Rectifier 国际整流器

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube