IXTA220N04T2

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IXTA220N04T2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 360 W

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 6820pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA220N04T2
型号: IXTA220N04T2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N-沟道 40 V 220 A 3.5 mΩ 表面贴装 TrenchT2 功率 Mosfet - TO-263
替代型号IXTA220N04T2
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