额定电压DC 100 V
额定电流 8.30 A
额定功率 89 W
漏源极电阻 22 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 mW
产品系列 IRF6662
阈值电压 3.9 V
输入电容 1.36 nF
栅电荷 31.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 1360pF @25VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 5.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
工作结温Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DirectFET™ Isometric MZ
封装 DirectFET™ Isometric MZ
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17