IRFB23N20DPBF 管装
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
得捷:
SMPS HEXFET POWER MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDSON 0.1Ohm; ID 24A; TO-220AB; PD 170W; VGS +/-30V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
额定电压DC 200 V
额定电流 24.0 A
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRFB23N20D
输入电容 1960pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 32.0 ns
热阻 0.9℃/W RθJC
输入电容Ciss 1960pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFB23N20DPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
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