IXFI7N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFI7N80P概述

TO-263 N-CH 800V 7A

通孔 N 通道 800 V 7A（Tc） 200W（Tc） TO-262

得捷:
MOSFET N-CH 800V 7A TO262

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin3+Tab TO-263 Leaded

IXFI7N80P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 7A

输入电容Ciss 1890pF @25VVds

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFI7N80P

型号： IXFI7N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-263 N-CH 800V 7A

替代型号IXFI7N80P