IPB015N04NGATMA1

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IPB015N04NGATMA1概述

IPB015N04NGATMA1 编带

Summary of Features:

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Excellent gate charge x R DSon product FOM
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Very low on-resistance R DSon
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Ideal for fast switching applictions
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RoHS compliant - halogen free
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MSL1 rated

Benefits:

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Highest system efficiency
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Less paralleling required
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Increased power density
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System cost reduction
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Very low voltage overshoot
IPB015N04NGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 250 W

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 15000pF @20VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Or-ing switches, Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号: IPB015N04NGATMA1
描述:IPB015N04NGATMA1 编带
替代型号IPB015N04NGATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB015N04NGATMA1

Infineon 英飞凌

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