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IXTI10N60P概述

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin2+Tab D2PAK

通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 200W（Tc） TO-262（I2PAK）

得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin2+Tab D2PAK

IXTI10N60P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

耗散功率 200W Tc

输入电容 1.61 nF

栅电荷 32.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

输入电容Ciss 1610pF @25VVds

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTI10N60P

型号： IXTI10N60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin2+Tab D2PAK

替代型号IXTI10N60P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXTI10N60P IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXTA10N60P IXYS Semiconductor	完全替代	IXTI10N60P和IXTA10N60P的区别
IXFP10N60P IXYS Semiconductor	功能相似	IXTI10N60P和IXFP10N60P的区别
IXFA10N60P IXYS Semiconductor	功能相似	IXTI10N60P和IXFA10N60P的区别