ICTE8HE3/73

ICTE8HE3/73图片1
ICTE8HE3/73中文资料参数规格
技术参数

工作电压 8 V

击穿电压 9.4 V

耗散功率 1.5 kW

钳位电压 11.5 V

最小反向击穿电压 9.4 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-201AA

外形尺寸

封装 DO-201AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ICTE8HE3/73
型号: ICTE8HE3/73
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo

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