INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3415SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, D2-PAK 新
**N-Channel Power MOSFET 40A to 49A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
e络盟:
场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, D2-PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
额定电压DC 150 V
额定电流 43.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRF3415S
阈值电压 4 V
输入电容 2400pF @25V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 43.0 A
上升时间 55.0 ns
热阻 0.75℃/W RθJC
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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