IXTI12N50P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTI12N50P概述

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3Pin2+Tab TO-263

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin2+Tab TO-263

得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO262

贸泽:
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK

Online Components:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin2+Tab TO-263

IXTI12N50P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 12.0 A

耗散功率 200 W

输入电容 1.69 nF

栅电荷 29.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1830pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTI12N50P

型号： IXTI12N50P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3Pin2+Tab TO-263

替代型号IXTI12N50P