IRF6726MTR1PBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.3 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
产品系列 IRF6726M
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 27.0 A, 32.0 A
输入电容Ciss 6140pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
高度 0.53 mm
封装 Direct-FET
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
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型号： IRF6726MTR1PBF
制造商：
International Rectifier
国际整流器
描述：Trans MOSFET N-CH 30V 32A 7Pin Direct-FET MT T/R